G.SKILL SQ Series - DDR3 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB Dual-Kit, Arbeitsspeicher F3-12800CL9D-4GBSQ, Lite Retail

SO-DIMM DDR3-1600 Kit Arbeitsspeicher Dieses G.Skill Dual-Channel Kit besteht aus zwei 2-GB-DDR3-1600-Speichermodulen in SO-DIMM-Bauform (PC3-12800). Die Gesamtkapazität beträgt 4 GB. Die Module sind auf Latenzen von 9-9-9-28 bei 1600 MHz programmiert ...

  • Marke: G.SKILL
  • EAN: 4711148597333
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SO-DIMM DDR3-1600 Kit Arbeitsspeicher Dieses G.Skill Dual-Channel Kit besteht aus zwei 2-GB-DDR3-1600-Speichermodulen in SO-DIMM-Bauform (PC3-12800). Die Gesamtkapazität beträgt 4 GB. Die Module sind auf Latenzen von 9-9-9-28 bei 1600 MHz programmiert und verfügen über Kontakte. - Typ: SDRAM-DDR3 - EAN: 4711148597333 - Hersteller-Nr.: F3-12800CL9D-4GBSQ - Serie: SQ - Kapazität: 4 GB (2 x 2 GB) - Anzahl: 2 Stück - Bauform: SO-DIMM - Bestückung: zweiseitig - Anschluss: 204-Pin - Spannung: 1,5 Volt (von 1,425 bis 1,575 Volt) - Standard: DDR3-1600 (PC3-12800) - Physikalischer Takt : 800 MHz - TimingsCAS Latency (CL)9 - RAS-to-CAS-Delay (tRCD)9 - RAS-Precharge-Time (tRP) SO-DIMM 4 GB DDR3-1600 Kit, Arbeitsspeicher DDR3 Speicher Interner Speichertyp : DDR3 ECC : Nein CAS Latenz : 9 Speichertaktfrequenz : 1600 MHz Verpackungsart : SO-DIMM Speicherspannung : 1,5V Registriert : Nein SPD profil : Ja Memory form faktor : 204-pin SO-DIMM Memory Kanäle support : doppelt/Dual Voll gebuffertes memory : Nein Unbuffered Speicher : Ja Komponente für : Notebook RAM-Speicher : 4 GB Speicherlayout (Module x Größe) : 2 x 2 GB Weitere Spezifikationen Fehlerkorrekturmodus (ECM) : Nein VerpackungsinformationVerpackungsartSO-DIMMFunktionenRAM-Speicher4 GBCAS Latenz9Speicherspannung1,5 VECCNeinSpeicherkanäleDualGepufferter SpeichertypUnregistered (unbuffered)Komponente fürNotebookMemory Formfaktor204-pin SO-DIMMSpeicherlayout (Module x Größe)2 x 2 GBSPD profilJaSpeichertaktfrequenz1600 MHzInterner SpeichertypDDR3 RAM-Speicher:4 GBSpeicherlayout (Module x Größe):2 x 2 GBInterner Speichertyp:DDR3Speichertaktfrequenz:1600 MHzKomponente für:NotebookMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMGepufferter Speichertyp:Unregistered (unbuffered)CAS Latenz:9Speicherkanäle:ZweikanaligSpeicherspannung:1.5 VSPD profil:JaVerpackungsart:SO-DIMM SO-DIMM 4 GB DDR3-1600 (2x 2 GB) Dual-Kit (F3-12800CL9D-4GBSQ, SQ, Lite Retail) G.Skill SQ Series - DDR3 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO DIMM 204-PIN - 1600 MHz / PC3-12800 - CL9 - 1.5 V - ungepuffert - ...

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